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紫外半导体发光器件.pdfVIP

紫外半导体发光器件.pdf

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    紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110010734A

    (43)申请公布日

    2019.07.12

    (21)申请号20181

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