第5章-薄膜材料及其性质.pptVIP

第五章

薄膜材料及其性质5.1薄膜的形成与生长2.成核过程2.成核过程岛状生长模式沉积分子或原子相互间的结合力远高于和衬底的结合层状生长最小稳定核的生长倾向于两维方向，沉积分子或原子相互间的结合力远低于和衬底的结合岛加层状生长模式单层结构形成以后，原子间的结合力开始增强，因而出现岛状生长倾向3.薄膜的生长（长大）—四阶段4.团聚(聚结)的模式Ostwald熟化(Ostwaldripening-奥斯瓦尔多吞并)烧结(sintering)团簇迁移(clustermigration)1)Oswald熟化这一过程的驱动力来自于岛状结构的薄膜力图降低自身表面自由能的趋势。2)烧结发生在两个相互接触的团簇之间表面能的降低趋势是整个过程的驱动力。原子的扩散包含体扩散和表面扩散。3)团簇（岛）迁移团聚由于团簇在随机迁移过程中相遇而发生当基底温度足够高时，大至5-10nm的团簇可以在基底表面整体迁移或扩散。薄膜的形成与生长形成三个过程：吸附过程成核过程:3种成核方式生长过程：4个阶段5.2常用光学薄膜材料1.金属薄膜的结构2.金属薄膜材料的应用介质薄膜以其优良的绝缘性能和介电性能在半导体集成电路、薄膜混合集成电路以及一些薄膜化元器件中得到广泛应用。以电极化为基本电学特征的功能材料。电极化随材料的组分和结构、电场的频率和强度以及温度、压强等外界条件的改变而发生变化按化学分类：无机材料、有机材料、无机和有机的复合材料；按形态分类：三维（块体）材料、二维（薄膜）材料和一维（纤维）材料；按结晶状态：单晶、多晶和非晶材料；按物理效应：见表1。表1介电功能材料按物理效应分类及其主要应用（1）用作电容器介质在薄膜混合集成电路中，用作薄膜电容器介质的主要有SiO、SiO2、Ta2O5以及Ta2O5-Si（SiO2）复合薄膜等。这些薄膜用作薄膜电容器介质对其电性能和稳定性均有较严格的要求。按照应用场合，介质薄膜分为低损耗低介电常数薄膜和高介电常数薄膜。在生产上采用的前一类薄膜主要是SiO和SiO2，高介电常数薄膜是钽基质薄膜。在半导体集成电路中，利用杂质在氧化物（主要是SiO2）中的扩散系数远小于在Si中的扩散系数这一特性，SiO2等氧化物常用作对B、P、As等杂质进行选择性扩散的掩膜层。此外，在进行离子注入掺杂时，SiO2等介质薄膜还被用作注入离子的阻挡层。常用的钝化膜主要有：在含氯气中生长的SiO2膜、磷硅玻璃（PSG）膜、氮化硅（Si3N4）膜、聚酰亚胺、半绝缘多晶硅（SIPOS）以及氮化铝膜和三氧化二铝（Al2O3）膜等。作为钝化层，还常使用双层结构（如SiO2-PSG、SiO2-Si3N4、SiO2-Al2O3和SiO2-SIPOS等）和多层钝化结构。光学薄膜材料的选择3、介质薄膜4、介电功能材料：分类应用：（2）用作隔离和掩膜层（3）表面钝化膜**薄膜形成的显微过程均匀、细小、可以运动的原子团核或者岛开始长大岛密度增加、尺寸增大通过团聚，岛开始合并薄膜形成的显微过程团聚的继续导致连续网络的形成沟道逐渐被填充1.吸附过程沉积过程中，蒸气原子与基底相遇，产生相互的吸引，这一过程称为吸附过程吸附是薄膜形成的最初阶段。吸附分类：物理吸附：通过原子或分子之间的范德华力相作用化学吸附：通过化学键相作用物理吸附程度化学吸附程度吸附能曲线吸附是一个动态过程，若原子动能超过吸附能，则会从基底脱离。注意：吸附原子在基底表面的平均驻留时间为：吸附能越大，驻留时间越长；T越高，驻留时间越短薄膜的成核过程当蒸气原子到达基底表面通过吸附形成永久驻留的团聚体时，这一过程称之为成核过程。薄膜的成核过程如入射原子的动能不是很大，到达基片表面后失去法线方向上的速度而被吸附在基片表面，如（2）。

由于吸附原子仍保留着平行于基片的动能，它将沿面移动，并于其他原子一起形成原子对（3）或原子团（4）。

在表面上容易被捕获的地方（凹陷等）形成核（5）。

这个核与接连不断飞来的原子及邻近的核合并，形成稳定的核（6）。

入射原子到达基片表面后，在法线方向上仍有相当大的动能，则在基片表面作短暂停留后被反射。（1）薄膜成核的三种模式浸润性差；沉积物质原子互相键合；金属膜在非金属衬底上生长浸润性好；沉积物质原子与基底原子键合从层状模式转变为岛状模式(1)岛状阶