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本发明提出了一种氮化镓半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层包括从下至上依次设置的具有价带有效态密度分布特性的第一限制因子增强下限制层、第二限制因子增强下限制层、第三限制因子增强下限制层和第四限制因子增强下限制层。本发明能够降低激光光斑发散角，使远场图像沿c轴方向满足高斯图样，抑制光场耗散，减少光场模式泄漏至衬底，提升光斑质量和远场图像FFP质量，进而提升限制因子，同时，降低下限制层的侧壁散射损耗，降低内部光学吸收损耗，进一步提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712833A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202410010430.5
(22)申请日2024.01.04
(71)申请人安徽格恩半导体有限公司
地址2
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