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本发明公开了一种提升光提取效率的Micro‑LED器件结构及制作方法，其结构的外延层由背面至正面按序包括n‑GaN层、MQW和p‑GaN层，并通过由正面蚀刻至n‑GaN层形成发光台面，第一电流扩展层设于发光台面的p‑GaN层上，p电极和n电极分别设于第一电流扩展层和n‑GaN层上，钝化层、反射层和绝缘层按序覆盖器件结构的正面，p电极和n电极分别通过贯穿钝化层、反射层和绝缘层的键合金属引出；n‑GaN层在发光台面区域通过蚀刻形成若干通孔，第二电流扩展层填充于通孔中。本发明通过减小电流密度差异，提高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712263A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202410010767.6
(22)申请日2024.01.04
(71)申请人厦门大学
地址361000
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