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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2024-03-16 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供初始衬底；刻蚀所述初始衬底，形成衬底、以及凸设于所述衬底的顶面的半导体块；于所述半导体块的侧壁上外延生长多个沿第一方向间隔排布的半导体层，所述第一方向与所述衬底的顶面垂直；于每个所述半导体层中形成沿平行于所述衬底的顶面的方向间隔排布的多个存储单元。本公开减少了半导体结构的内部缺陷，提高了半导体结构的制造良率，改善了半导体结构的电性能。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117715406A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202211084001.X

    (22)申请日2022.09.06

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

    地址23

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