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公开了用于高通量增材制造(HTAM)结构的技术。在一个实施例中，形成牺牲电介质以提供负掩模，使用HTAM在该负掩模上图案化传导迹线。在另一实施例中，使用诸如激光投影图案化之类的工艺来图案化永久电介质。然后可以使用HTAM来图案化传导迹线。在仍另一实施例中，可以图案化具有锥形侧壁的传导迹线，然后可以在顶部沉积缓冲层和HTAM层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117716493A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202280046857.X(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公
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