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一种快速补充金属离子的半导体晶圆电化学沉积设备.pdfVIP

一种快速补充金属离子的半导体晶圆电化学沉积设备.pdf

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    本发明涉及一种快速补充金属离子的半导体晶圆电化学沉积设备，包括旋转圆盘电极和固定在底板上的阳极区域、阴极区域；阳极区域包阳极腔，带孔侧壁以及离子膜，阴极区域包括内腔，内腔和阳极腔之间设置的阴极补液口，内腔内有均流板，内腔外有外腔，外腔和内腔之间为溢流区，外腔的侧壁底部有阴极排液口。有益效果为：本申请具备金属离子通过补液和离子膜渗透两方面迅速补充所需金属离子，且在设备狭小有限的空间内，设置圆形离子膜，提高了金属离子的渗透通量，还具备阳极补液、排气可靠稳定，经济效益高，制造水平稳定可靠等特色。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117721511A

    (43)申请公布日2024.03.19

    (21)申请号202410173385.5

    (22)申请日2024.02.07

    (71)申请人苏州智程半导体科技股份有限公司

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