三维半导体存储器件.pdfVIP

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  • 2024-03-20 发布于四川
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公开了三维半导体存储器件,其包括:电极结构,包括在第一方向上堆叠的多个栅电极;下图案组,包括在电极结构的下部中且连接到衬底的多个下垂直图案;以及上图案组,包括在电极结构的上部中的多个上垂直图案。所述多个上垂直图案可以分别连接到所述多个下垂直图案。该三维半导体存储器件还可以包括在第二方向上彼此间隔开的两个公共源极插塞。电极结构可以在这两个公共源极插塞之间。下图案组的上部在第二方向上具有第一宽度,上图案组的上部在第二方向上具有第二宽度,并且第一宽度可以大于第二宽度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110323224A

(43)申请公布日

2019.10.11

(21)申请号20191

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