金属氧化物半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2024-03-20 发布于四川
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金属氧化物半导体器件及其制备方法.pdf

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本申请实施例涉及金属氧化物半导体器件及其制备方法。金属氧化物半导体器件的制备方法包括：提供衬底；衬底中包括相邻的漂移区和体区；在衬底中形成沟槽，沟槽的一部分位于漂移区，沟槽的另一部分位于体区；至少在沟槽的底部形成第一介质层；第一介质层包括位于体区上方的第一子部和位于漂移区上方的第二子部；形成填充沟槽并覆盖衬底表面的第二介质层；形成贯穿第二介质层的栅极接触通孔和场板接触通孔；栅极接触通孔暴露第一子部的表面；场板接触通孔暴露第二子部的表面；在栅极接触通孔和场板接触通孔内填充金属材料以分别形成栅极和场

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117727634A

(43)申请公布日2024.03.19

(21)申请号202410175676.8

(22)申请日2024.02.08

(71)申请人粤芯半导体技术股

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