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填充在半导体衬底中形成的沟槽的方法.pdf

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    本公开涉及填充在半导体衬底中形成的沟槽的方法。实施例提供了一种形成半导体器件的方法。在半导体衬底的沟槽中沉积第一硅层作为非晶层。第二硅层沉积在第一硅层的顶部并且与第一硅层接触，作为多晶硅层。在沉积第二硅层之后，第一硅层包括平均晶粒尺寸不同于第二硅层的平均晶粒尺寸的多晶硅。第三半导体层沉积在第二硅层的顶部并与第二硅层接触，以至少部分地填充沟槽。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117727685A

    (43)申请公布日2024.03.19

    (21)申请号202311200590.8

    (22)申请日2023.09.18

    (30)优先权数据

    22094352022.09

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