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本公开涉及一种半导体结构及静电保护电路。半导体结构包括衬底和多个晶体管单元。晶体管单元包括：栅极、源区、漏区以及硅化物阻挡层，栅极沿第二方向延伸至浅槽隔离结构上方；源区和漏区分别位于栅极两侧的有源区内，并沿第二方向延伸；硅化物阻挡层至少位于漏区和栅极之间。其中，以位于有源区中心第一目标区域内的至少一个晶体管单元为第一目标单元，位于有源区边缘第二目标区域内的至少一个晶体管单元为第二目标单元；第一目标单元中硅化物阻挡层的宽度大于第二目标单元中硅化物层的宽度，硅化物阻挡层的宽度为其在第一方向上的尺寸。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727754A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202410008919.9
(22)申请日2024.01.02
(71)申请人上海积塔半导体有限公司
地址2
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