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2024-03-20 发布于四川
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功率MOSFET器件结构及其制造方法.pdf

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本申请公开了一种功率MOSFET器件结构及其制造方法。所述功率MOSFET器件结构包括碳化硅衬底，以及设置在碳化硅衬底上的轻掺杂的N型外延层，N型外延层包括有源区、环绕有源区设置的终端区和环绕终端区设置的切割道区，在终端区的N型外延层中嵌设有多个第一氧化硅柱，在N型外延层的厚度方向上，每个第一氧化硅柱的高度至少大于或者等于N型外延层厚度的1/3，并且第一氧化硅柱的一侧端面从N型外延层背离碳化硅衬底的一侧表面露出。通过在终端区的N型外延层内设置多个第一氧化硅柱与P型结注入层相配合组成终端环，以将位

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117727788A

(43)申请公布日2024.03.19

(21)申请号202311767797.3

(22)申请日2023.12.20

(71)申请人蔚来汽车科技（安徽）有限公司

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