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《电子技术基础》课程习题集

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习题

【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题，简答题，计算题1,作图题1，作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有［计算题2,作图题2］等试题类型未进入。

一、单选题

测得NPN三极管的三个电极的电压分别是。b=1.2V,Ue=0.5V,Uc=3V,该三极管处在（）状态。

A.击穿B.截止C.放大D.饱和

二极管的主要特性是（人

放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性

在N型半导体中（人

只有自由电子B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子

TOC\o1-5\h\z三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（ 人

A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置

工作在放大状态的某三极管，当输入电流L=10pA肘，l「=1mA；而L=20pA肘，

B C B

Ic=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50 B.80 C.100D.

稳压管的稳压是其工作在（ 人

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区D.正向死区

在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为

( )。A.NPN硅管B.NPN

( )。

A.NPN硅管

B.NPN锗管

C.PNP硅管

D.PNP锗管

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。

温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：Ub=2.8V，Ue=2.1V，UC=3.6V，则该管处于（）状态。

A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿

?型半导体中的自由电子浓度（ ）空穴浓度。

大于 日.小于 ^等于 D.大于或等于

N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.璘元素

三极管工作在放大区的条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结反偏

下列关于半导体的说确的是（）。

A.P型半导体带正电，N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态

C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用D.以上说法都是错误的

PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽 D.不确定

当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）

A增大 B减小 C不变 D等于零

以下电路中，可用作电压跟随器的是（ ）。

人.差分放大电路日.共基放大电路 ^共射放大电路 。.共集放大电路

共模抑制比Kcmrr是（）。

差模输入信号与共模输入信号之比

输入量中差模成份与共模成份之比

差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）之比

交流放大倍数与直流放大倍数（绝对值）之比

下列哪种失真不属于非线性失真（）。

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真 D.频率失真

共射极放大器的输出电压和输入电压在相位上相差（）。

TOC\o1-5\h\z\oCurrentDocumentA.90° B.° C.60° D.30°

收音机寻找要听的电台，利用的是（）原理。

A.有激 B.调谐 C.整流 D.稳压

如果三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（ ）

A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置

共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）夫真。

A.饱和 B.截止 C.交越 D.频率

射极输出器的主要特点是（ ）

电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低

电压放大倍数接近1，输出电阻偏，输入电阻高

电压放大倍数为0，输出电阻偏，输入电阻高

以上说法都不对

固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q如下图所示，当温度升高时。将（ ）。

（〕。

（

〕。

A.保持U

A.保持UCC，Rb—定，减小RCv.保持rb，rc—定，增大ucc

B.保持UCC，Rc—定，增大Rb

D.保持RC一定，增大Ucc，Rb

理想运算放大器的（ ）。

人.差模输入电阻趋于无穷大，开环输出电阻等于零

日.差模输入电阻等于零，开环输出电阻等于零

仁差模输入电阻趋于无穷大，开环输出电阻趋于无穷大

。.差模输入电阻等于零，开环输出电阻趋于无穷大

同相比例运算放大器中的反馈类型为（）。

A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈

（ ）比例运算电路的比例系数大于1。

A.反相 B.同相 C.A和B都可以D.A和B都不行

在图所示电路中，A为理想运放。输出电压uo应等于（ ）。

A.0.5V B.1V C.2V D.3V

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30.欲将三角波电压转换成方波电压，应选