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本申请涉及一种半导体器件及半导体器件制备方法，半导体器件，包括：衬底，具有第一表面；外延层，设于衬底背离第一表面的一侧；氧化层，设于外延层背离衬底一侧，氧化层具有背离衬底的第二表面；第一沟槽，开设于氧化层的第二表面，沿垂直于衬底所在平面的方向上，第一沟槽由氧化层延伸至外延层；第二沟槽，开设于衬底的第一表面，沿垂直于衬底所在平面的方向上，第二沟槽由衬底延伸至外延层，并和第一沟槽连通，第二沟槽在衬底上的正投影面积大于第一沟槽在衬底上的正投影面积。本实施例通过将正面刻蚀和背面刻蚀工艺结合，既可以降低源
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727786A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202311723220.2
(22)申请日2023.12.14
(71)申请人苏州华太电子技术股份有限公司
地址
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