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具有虚设导电件的半导体结构的制造方法.pdfVIP

具有虚设导电件的半导体结构的制造方法.pdf

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    一种半导体结构的制备方法，包括：形成第一晶圆，包括：提供第一基底、第一介电层及第一键合层；移除第一键合层的部分以形成延伸穿过第一键合层的第一开口及部分延伸穿过第一键合层的第二开口；将第一导电材料设置于第一及第二开口中以分别形成第一通孔及第一虚设导电件；形成第二晶圆，包括：提供第二基底、第二介电层及第二键合层；移除第二键合层的部分以形成延伸穿过第二键合层的第三开口及部分延伸穿过第二键合层的第四开口；将第二导电材料设置于第三及第四开口中以分别形成第二通孔及第二虚设导电件；将第二晶圆键合到第一晶圆，包

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117727645A

    (43)申请公布日2024.03.19

    (21)申请号202311768294.8H01L23/488(2006.01)

    (22)申请日2023.04

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