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本发明提供了一种覆盖W频段的异质双极晶体管小信号模型参数提取方法。通过针对待提取参数的晶体管，执行晶体管多偏置S参数和无源校准结构S参数测试；所述无源校准结构包括open结构以及short结构；根据无源校准结构执行寄生参数提取；所述寄生参数包括寄生电容、寄生电感、寄生电阻以及基极‑集电极结外部电容；对所述寄生参数进行去嵌处理，并基于去嵌后的寄生参数提取出本征参数；所述本征参数包括本征电阻、本征电容及跨导。相对于现有技术，能够实现准确描述InPHBT发射极‑集电极层叠电容效应及其偏置相关性的小信
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117723919A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202311004498.4
(22)申请日2023.08.10
(71)申请人电子科技大学长三角研究院（湖州）
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