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2024-03-20 发布于四川
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提高被动散热及芯片背部引出的扇出型封装方法及结构.pdf

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本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及提高被动散热及芯片背部引出的扇出型封装方法及结构。在所述硅晶圆上刻蚀空腔；在刻蚀空腔的硅晶圆表面溅射种子层、电镀铜形成金属层；将所述异构芯片背金面焊接导电层；将焊接好导电层的芯片放置于硅片空腔内；利用晶圆级再布线工艺在所述晶圆上形成多层再布线层；使用临时键合工艺保护硅晶圆正面，减薄硅晶圆，磨出芯片的导电层，利用再布线工艺形成金属层；在晶圆背面金属层上焊接金属层；利用晶圆级植球工艺，在晶圆正面多层布线的球下金属层处植球；最后再对所述硅晶圆进行划片形成最终的封

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117727637A

(43)申请公布日2024.03.19

(21)申请号202311730151.8H01L23/48(2006.01)

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