场效应管自学报告.docxVIP

场效应管及其电路自学报告的黑表笔所接的是D极；红表笔所接地是8极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般Gl、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、Gl、G2管脚的顺序。

5、判断跨导的大小

测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对VMOSV沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在RXIOkQ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。

6、结型场管脚识别

场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于Rxlk档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KQ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

7、判定栅极

用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。五、场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别

1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。

2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流lb为参变量。

3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm决定，晶体管电流Ic与lb之间的关系由放大系数B决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm衡量，晶体管的放大能力用B衡量。

4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

一、简介

1、场效应管

场效应晶体管（FieldEffectTransistor）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

2、场效应晶体管的分类

二、绝缘栅场效应管（MOS管）：

N沟道增强型绝缘栅场效应管（NMOS管）:

（1）结构示意图及电路符号：

P衬底

N河道箭头向里

未寸底断开

B-

(2)工作原理：

A.当UGS=OV时，漏源之间相当两个背靠背的PN结,无论UDS之间加上电压不会在D、S间形成电流ID,即ID=0.

B.当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。

C.当UGS二UT时，在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道在UDS的作用下形成IDo

D.当UGSUT时，沟道加厚，沟道电阻减少，在相同UDS的作用下ID将进一步增加。

(3)特性曲线:

A.

A.

(1)可变电阻区：在5s较小靠近输出特性曲线的纵轴处，id几乎随

Uds线性增加。

(2)恒流区：只受Ugs的控制而几乎与无关，具有恒流特点，放大状态的场效应管工作在恒流区。

(3)击穿区：当Uds增大到某值时，栅源间发生反向击穿，id急剧增加，如不加限制，会造成管子击穿。

B.转移特性曲线：

①当ugs=O时，id很小，近似为零。

②当Ugs足够大时，才能形成导通沟道使管子导通。

N沟道耗尽型绝缘栅场效应管：

P沟道增强型绝缘栅场效应管(PMOS管):

D P+

G|N衬底|

S P+

P沟道耗尽型绝缘栅场效应管：

5

5录

S播需

+/+

P++++++++P

5、场效应管主要参数

(1)直流参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGSo

开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGSo

(2)交流参数

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

(3)极限参数

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿