《半导体器件》习题及参考答案模板.docx

第二章

一个硅p－n扩散结在p型一侧为线性缓变结，a=1019cm-4，n型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm－3，在零偏压下p型一侧的耗尽层宽度为0.8μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。

解：d2??

dx2

qax,(?x

? p

S

?x?0)

Dd2???qNdx2 ?

D

S

,(0?x?x)

n

?(x)??

d? qa

dx ?2? (x2

S

d? qN

?x2),?x

p p

?x?0

?(x)??

dx ? ?D

S

(x?x

n

),0?x?x

n

x＝0处E连续得xn＝1.07μm

总x =xn+xp=1.87μm

总

V ???0

bi ?x

p

qa

E(x)dx??xnE(x)dx?0.516V

0

E

max

? (?x2)??4.82?105V/m,负号表示方向为n型一侧指向p型一侧。

2? p

S

2 一个理想的p-n结，ND＝1018cm－3，NA＝1016cm－3，τp＝τn＝10－6s，器件的面积为1.2×10－5cm－2，计算300K下饱和电流的理论值，±0.7V时的正向和反向电流。

解：Dp＝9cm2/s，Dn＝6cm2/s

D?p pD?n nL ? ?3?10?3cm

D?

p p

D?

n n

p n

?2.45?10?3cm

qD p

J ? p n0

qDnnp0

S L L

p n

IS=A*JS=1.0*10-16A。

＋0.7V时，I＝49.3μA，

－0.7V时，I＝1.0*10-16A

对于理想的硅p+-n突变结，ND＝1016cm－3，在1V正向偏压下，求n型中性

区内存贮的少数载流子总量。设n型中性区的长度为1μm，空穴扩散长度为5μm。

解：P＋n，正向注入：

d2(p

n

pn0)?pn?pn0

?0，得：

dx2 L2

p

W ?x

sinh( n )

L

pp ?p

p

n n0

?p (eqV/kT

n0

?1)

sinh(Wn

xn)

L

p

Q?qA?Wn(p

x n

n

?p )dx?5.289?1020A

n0

一个硅p+-n单边突变结，ND＝1015cm－3，求击穿时的耗尽层宽度，若n区减小到5μm，计算此时击穿电压。

解：E

?1.1?107(q

1

)（2

E 3

8g)4N

8

1?3.25?104V/m

c ?

S

? E2

B

V ? S C ?350V

B 2qN

2?

2?V

S B

qN

B

x ?

mB

?21.5?m

(x ?W)2

n区减少到5μm时，V/＝[1?

B

mB

x2

mB

第三章

]V ?143.9V

B

一个p+-n-p晶体管，其发射区、基区、集电区的杂质浓度分别是5×1018，1016，1015cm－3，基区宽度WB为1.0μm，器件截面积为3mm2。当发射区－基区结上的正向偏压为0.5V，集电区－基区结上反向偏压为5V时，计算(a)中性基

区宽度，(b)发射区－基区结的少数载流子浓度，(c)基区内的少数载流子电荷。

解：（a）热平衡下，内建电势V ?kTlnNAND

bi

EB结，Vbi＝0.857V；x

q n2

2?

2?

N

q (N ?N )N

S

E

(V ?V )

bi

eb

E B B

?

neb

?0.217?m

CB结，Vbi＝0.636V；x

?

ncb

?0.261?m

2?Nq (N ?N )NSC

2?

N

q (N ?N )N

S

C

(V ?V )

bi

cb

E

B B

（b）p(0)?p eqVBE/kT?4.73?1012cm?3

n n0

（c）Q

B

?qAWpn

2

(0)

?5.93?10?13C

推导基区杂质浓度为N

B

浓度分布表达式。

(x)?N

B

(0)e?x/l时的基区内建电场公式及基区少子

解：不妨设为NPN晶体管，由于基区中杂质存在浓度梯度，其多数载流子（空穴）的分布也存在浓度梯度，它使空穴作扩散运动，这一运动的产生破坏了基区中的电中性，为维持电中性，基区中就产生一电场来阻止基区中空穴的扩散运动。电场的大小是恰好使电场产生的空穴漂移流与因杂质浓度梯度所引起的扩散流相抵消，这一电场就称为缓变基区内