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本发明公开一种碳化硅衬底的清洗方法。本发明首先采用双氧水超声浸泡的方法去除陶瓷盘及碳化硅衬底表面残留的抛光液、强吸附性物质和大颗粒，然后采用异丙醇浸泡陶瓷盘及碳化硅衬底，溶解表面和边缘的蜡质，去除表面蜡质的同时减小碳化硅衬底与陶瓷盘间的蜡质的吸附性，进而有利于实现低温下片，避免高温蜡干结增加清洗难度，再进行二次异丙醇溶液加热浸泡去除蜡质，最后采用两步去蜡清洗工艺和超纯水变频超声清洗工艺，实现了碳化硅衬底无死角去除残留物的目的；除此之外，还有效延长了去蜡清洗液的使用寿命，降低了清洗废液的产生量，是
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117732784A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311699676.X
(22)申请日2023.12.11
(71)申请人河北同光半导体股份有限公司
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