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本发明属于半导体晶圆加工工艺技术领域，具体公开一种半导体晶圆基底清洗方法，所述清洗方法具体是将蚀刻去光阻后的图案化晶圆浸泡在洗液中，取出再以去离子水洗涤，其中，按重量份数计，所述洗液具有如下的组分组成：去离子水34‑46份，30wt%的过氧化氢溶液30‑40份，有机胺2‑5份，磷酸1‑2.5份，缓蚀剂0.1‑1份，缓释剂4‑12份，有机极性溶剂8‑14份，表面活性剂0.1‑0.2份，助剂0‑0.5份；本发明以过氧化氢为主要活性成分，制得一种无氟的半导体晶圆清洗剂，其对蚀刻基底的侧壁或周围形成蚀刻
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747414A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202410184857.7C11D3/16(2006.01)
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