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本发明涉及垂直纳米银棒阵列芯片互连材料及其制备方法和互连方法，属于电力电子器件封装技术领域。互连材料的制备方法包括：(1)在金属化陶瓷基板表面上依次沉积制备银膜和铝膜；(2)在铝膜表面涂敷屏蔽剂，留出互连材料的生长区域；(3)对互连材料生长区域对应的铝膜进行阳极氧化，腐蚀出氧化铝通道模板；(4)碱液宽化氧化铝通道；(5)在氧化铝通道模板中电化学沉积出纳米银棒；(6)去除屏蔽剂和氧化铝通道模板。该方法将制备的直径、高度、间距、面积均可调节的垂直纳米银棒阵列用于芯片和基板的连接中，避免了有机溶剂介入
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747591A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311659962.3C25D3/46(2006.01)
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