一种LIGBT结构及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约2.38万字
约 21页
2024-03-23 发布于四川
举报
版权申诉

一种LIGBT结构及其制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种LIGBT结构及其制备方法，该LIGBT结构包括半导体结构、第一和第二沟槽结构、基区、第二导电类型柱、缓冲区、发射区、第一和第二接触区、发射极、集电极及栅极，其中半导体结构包括衬底、介电层及外延层；第一沟槽结构与位于第二导电类型柱中的第二沟槽结构间隔设置；基区与第二导电类型柱分列于第一沟槽结构两侧；设有集电区的缓冲区位于外延层中；发射区及第一接触区位于基区中，第二接触区位于第二导电类型柱中；发射极与发射区及第一、二接触区电连接，栅极与第一、二沟槽结构电连接。本发明通过于器件中设置第

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117747640A

(43)申请公布日2024.03.22

(21)申请号202211124554.3

(22)申请日2022.09.15

(71)申请人华润微电子（重庆）有限公司

地址

您可能关注的文档

文档评论（0）

知识产权出版社 + 关注: 官方认证

文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

咨询Ta 进入空间

用户编号：5333241143000144

认证主体北京中献电子技术开发有限公司

IP属地四川

统一社会信用代码/组织机构代码: 91110108102011667U

1亿VIP精品文档

更多 >

一种LIGBT结构及其制备方法.pdfVIP