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2024-03-23 发布于四川
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一种采用trench钝化策略的硅光电倍增管阵列单元制备方法.pdf

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本发明公开一种采用trench钝化策略的硅光电倍增管阵列单元制备方法，属于半导体工艺领域。在硅衬底上依次形成第一掺杂区域和第一氧化层，进行第一次光刻，腐蚀后形成第二掺杂区域；在第二掺杂区域内进行第二次光刻，定义出雪崩区，腐蚀后形成第三掺杂区域；在非第二掺杂区域内进行第三次光刻，定义出隔离槽；向隔离槽内通入POCl3气体，定义出隔离槽内部为第四掺杂区域，炉管退火使第四掺杂区域充分掺杂；在第二掺杂区域内进行第四次光刻，制备出接触孔，淀积金属后进行第五次光刻，腐蚀出正面金属电极；在硅衬底背面淀积背面金

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117747705A

(43)申请公布日2024.03.22

(21)申请号202311794160.3

(22)申请日2023.12.25

(71)申请人无锡中微晶园电子有限公司

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