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本发明公开了一种原子层沉积技术生长Cu2O薄膜的方法及制备的Cu2O薄膜，涉及Cu2O薄膜技术领域；本发明向反应腔中通入气相Cu前驱体沉积在衬底上，得到沉积有Cu前驱体的衬底；将氧前驱体通入反应腔，与沉积在衬底上的Cu前驱体进行单原子反应，得到含有单原子层Cu2O薄膜的衬底；完成一个ALD循环。重复上述步骤，得到生长有不同厚度的Cu2O薄膜的衬底。本发明采用ALD的生长方式，不会由于氧分压过高使得Cu前驱体氧化成CuO薄膜；所采用的前驱体反应具有自限制性，1次循环只能生长1个Cu2O层，膜厚精确
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117737699A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311751965.X
(22)申请日2023.12.19
(71)申请人嘉兴科民电子设备技术有限公司
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