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本发明公开一种具有多基岛结构的MOS管封装结构及工艺，涉及MOS管封装技术领域，包括组合式MOS管和塑封件，所述组合式MOS管包括组合式P型半导体结构、多对N型半导体、多个源极引脚结构、多个漏极引脚结构和多个栅极引脚结构，组合式P型半导体结构包括多个扇形基岛结构。本发明采用圆盘状的封装形式，对应的对于MOS管的组合形式进行了圆盘状的设计，解决传统直排式的封装来解决多个控制点的MOS管带来的直线尺寸过大的缺陷；多个扇形基岛结构对应的配置封装在一起，就可以独立的多个控制点进行通断控制，对于需三个以上
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747602A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311753178.9H01L21/60(2006.01)
(22)申请日2023.12.
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