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一种基于二氧化钒的振幅可调自旋电子太赫兹发射器.pdfVIP

一种基于二氧化钒的振幅可调自旋电子太赫兹发射器.pdf

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    本发明公开了一种基于二氧化钒的振幅可调自旋电子太赫兹发射器，属于太赫兹发射技术领域。由三氧化二铝材料的基底上依次设有二氧化钒层、镍层和铂层构成，二氧化钒层为单晶外延薄膜；镍层和铂层均为非晶薄膜，且构成双层膜异质结。本发明振幅可调自旋电子太赫兹发射器既能实现0～3THz的宽谱太赫兹发射，又能实现在同等光路条件下，通过外部温度27～127℃的热刺激、电流0～160mA的电刺激，实现对太赫兹发射振幅的调制。本发明为实现下一代片上太赫兹源、太赫兹调制器的集成提供可能性，在太赫兹相关领域具有巨大的应用前景

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117767090A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202311792436.4

    (22)申请日2023.12.25

    (71)申请人中国科学技术大学

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