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本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；存储结构，位于所述衬底上，包括晶体管，所述晶体管包括有源区和栅极结构，所述有源区包括沟道区、以及沿第一方向位于所述沟道区相对两侧的第一源漏区和第二源漏区，所述沟道区环绕所述栅极结构的外周分布，所述第一方向与所述衬底的顶面平行；字线，至少包括字线主体部，所述字线主体部沿第二方向延伸，且与所述栅极结构电连接，所述第二方向与所述衬底的顶面垂直；位线，至少包括位线主体部，所述位线主体部沿所述第二方向延伸、并与所述第一源漏区电连接，且所述第一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117769241A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202211120737.8
(22)申请日2022.09.15
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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