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1.5习题解答

1-11.51015-3

一块本征锗半导体，掺入三价受主杂质硼，浓度为×cm,试分别求出T=300K（27℃）、400K

（127℃）时自由电子和空穴热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。

解：T=300K时，n10-3，因此，p≈N15-3，n2≈3.84×1011-3。由

=1.5×10cmN=1.5×10cm=n/pcm

ia0a0i0

于pn，故为P型半导体。

0o

3−Eg0

22kT15-3

T=400K时，n=ATei=1.62×10cm

215-3

由于nN，因此，必须利用p=N+n及np=n两方程联立求解，经分析计算得知：p=2.5×10cm、

ia0a000i0

15-3，由于p与n近似相等，故为本征半导体。

n=1.03×10cm

000

14-3

1-2一块本征硅半导体，掺入五价元素砷，浓度为10cm，试分别求出T=300K、500K时自由电子

和空穴的热平衡浓度值，并指出相应半导体类型。

解：T=300K时，n10-3，则n≈N14-3

i=1.5×10cmNd0d=10cm

26-3

因此p=n/n≈2.25×10cm。由于pN，故为型半导体。

0i000

3−Eg0

22kT14-3

T=500K时n=ATe=3.49×10cm，由于n与掺杂浓度N近似相等，故为本征半导体。

iid

15-3

1-3510cm的受主杂质，试指出T=300K时所形成的杂质半导体

在本征硅半导体中，掺入浓度为×

类型。若再掺入浓度为1016cm-3的施主杂质，则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到

T=500K、600K，试分析为何种类型半导体。

解：（1）P型半导体。