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一种低应力长晶方法及装置.pdfVIP

一种低应力长晶方法及装置.pdf

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    本申请公开了一种低应力长晶方法及装置，装置包括长晶系统和缓温系统；晶体于长晶系统内的生长室顶部进行生长，用于晶体生长所需的颗粒料放置于生长室的下部；缓温系统与生长室连通，缓温系统适于在退火时向生长室内释放退火缓释剂，退火缓释剂适于在生长室的侧壁以及晶体的表面形成冷却缓释层，进而对生长室以及晶体的内部进行保温。方法包括长晶过程、保温过程和退火过程。本申请的有益效果：在退火时通过向生长室内释放退火缓释剂，利用相变原理控制生长室内不同温度段的降温速度；同时在晶体表面形成一层冷却缓释层，减少晶体在降温过

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117758358A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202311804757.1

    (22)申请日2023.12.26

    (71)申请人宁波合盛新材料有限公司

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