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一种用于大直径锑化镓晶体生长连续加料装置，涉及单晶生长设备技术领域，包括主炉室和副炉室，主炉室内设置有两套可移动的融料坩埚组件，每套融料坩埚组件包括双层融料坩埚，通过机械臂控制器操控双层融料坩埚在主炉室内的升降移动和水平移动；副炉室与主炉室之间设置有一道插板密封阀，以控制副炉室与主炉室之间的连通与否。本发明是根据LEC法生长大直径GaSb单晶时，晶体生长石英坩埚、籽晶损耗率比较高的问题，设计了双腔室和两个双层融料坩埚的单晶生长连续加料装置，解决了多晶合成料不能连续投料的问题，本发明可使大直径晶体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117758353A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311789059.9C30B15/30(2006.01)
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