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2024-03-27 发布于四川
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本发明公开了一种氮化物垂直晶体管及其制备方法。该制备方法包括制备外延结构以及制备与外延结构匹配的源极、漏极和栅极，外延结构包括依次层叠设置的漏极接触层、漂移层、p型基极层、源极接触层，外延结构的栅极区域具有栅沟槽结构，栅沟槽结构的槽底与漂移层远离漏极接触层的表面接触，栅沟槽结构的槽口与源极接触层远离p型基极层的表面齐平，栅极设置在栅沟槽结构内；以及，在制备栅极之前，的制备方法还包括：在p型基极层靠近栅沟槽结构的侧壁形成高阻钝化层；在栅沟槽结构的侧壁与栅沟槽结构的槽底形成介质层；在介质层表面形成绝

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117766399A

(43)申请公布日2024.03.26

(21)申请号202311798036.4

(22)申请日2023.12.25

(71)申请人江苏第三代半导体研究院有限公司

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