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本发明公开了一种区熔硅单晶自动生长的方法，属于硅单晶制备技术领域。该方法包括以下步骤：(1)根据历史拉晶数据拟合出最优的单晶长度和直径的对应关系曲线；(2)设定单晶长度区间，并根据历史拉晶数据拟合给出每个区间内相应长度的最优单晶速度、单晶转速、多晶转速、多晶速度及线圈功率；(3)在放肩、转肩、等径、收尾生长过程中，根据单晶长度按区间设定调整单晶速度、单晶转速、多晶转速，多晶速度和线圈功率通过对比特定长度时单晶测量直径和设定直径的关系，以及PID参数动态调整；(4)完成拉晶后，自动进入降温冷却阶段
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117758351A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311798703.9
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人有研半导体硅材料股份公司
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