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2024-03-27 发布于四川
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本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装LED芯片的制备方法及LED芯片，芯片的制备方法包括：提供一衬底；在衬底上沉积外延层，外延层自下而上依次包括N型GaN层、量子阱发光层及P型GaN层；对外延层进行刻蚀以暴露出N型GaN层，并形成N型导电台阶；在P型GaN层上沉积电流阻挡层；在电流阻挡层上沉积电流扩展层，形成初始芯片；采用丝网印刷在初始芯片上印刷第一混合浆料，形成第一电极层；在第一电极层上沉积反射层，形成中间芯片；采用丝网印刷在中间芯片上印刷第二混合浆料，形成第二电极层。在本发明中，通

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117766660A

(43)申请公布日2024.03.26

(21)申请号202311804066.1

(22)申请日2023.12.26

(71)申请人江西兆驰半导体有

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