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本发明提供了一种氮化镓紫外光突触器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，所述氮化镓紫外光突触器件包括从下到上依次设置的衬底层、氮化镓掺杂吸光层和图形化电极；氮化镓掺杂吸光层用于在紫外光信号的激励下产生光生载流子，图形化电极用于收集所述光生载流子并输出电信号。本发明所述氮化镓紫外光突触器件对紫外光极为敏感，可以通过调整氮化镓掺杂吸光层的掺杂浓度和种类，优化神经形态器件性能，使得氮化镓紫外光突触器件成功表现出生物突触的各种性能，其中包括持久光电导效应(PPC)、双脉冲易化(PPF)、短期记忆(STM)
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766603A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202410066653.3H01L31/101(2006.01)
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