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本公开提供了一种发光二极管及其制作方法,属于发光器件领域。该方法包括:在衬底表面制作外延层,所述外延层包括依次层叠在所述衬底的第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述第二半导体层远离所述衬底的一面为掺杂Mg的AlxGa(1‑x)N层,其中0≤x<1;在所述第二半导体层表面形成银镜结构,所述银镜结构包括依次层叠在所述掺杂Mg的AlxGa(1‑x)N层的第一Ti层、Ag层和第一Ni层;在高温环境下,氧气与氮气氛围中,对所述银镜结构进行退火。该方法可以提升银镜结构的欧姆接触效果,从而提升发光二极管长时
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766659A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311678527.5
(22)申请日2023.12.08
(71)申请人华灿光电(苏州)有限公司
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