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◎专利分析CHINASCIENCEANDTECHNOLOGYINFORMATIONFeb.2024

中国科技信息2024年第3期�

光学邻近校正技术专利现状

马泽宇 刘振玲 张思秘

在芯片制造过程中，光刻工艺是非常重要的一环，其通

影响力可替代度过光学曝光将光掩模（PhotoMask）的图形精确地转移至

光刻胶上，然后在图案化光刻胶的保护下进行离子注入、刻

蚀等。实现光掩模图形的精准转移是光刻工艺的重中之重，

这也常常成为决定芯片制造能否成功的关键所在。然而，随

着光掩模图形特征尺寸的不断微缩，在特征尺寸接近曝光波

长时，由于光的衍射和干涉，曝光得到的图形和光掩模图形

之间将存在较大的差异，即产生光学邻近效应。光学邻近校

正（OpticalProximityCorrection，OPC）技术可以通过

对光掩模图形进行调整以使曝光得到的实际图形与原始设计

开放度的图形尽量接近，目前，对光掩模进行OPC处理在芯片制

行业关联度造工艺中已必不可少。

本文从专利的角度出发，在incoPat数据库中利用中

生态度创新度

外文关键词及分类号对OPC技术的专利申请进行检索，

检索关键词和分类号包括：光学邻近，校正，规则，模

型，曝光辅助图形，光源掩模协同优化，反演光刻技术，

OPC，rule，model，sraf，smo，ilt，G03F1/36，

检索量持续度G03F17/50，G06F30/398等，检索截至2023年11月

行业曲线

19日。通过对检索结果进行去噪、去重及合并同族共获得专

利申请3032项。基于以上数据从全球以及主要国家专利申

请趋势、专利申请地域分布、主要申请人排名、专利转让趋

本文针对OPC技术，对相关专利申请的申请量趋势、地

势以及技术发展路线等方面对OPC专利技术进行分析。

域分布情况、全球主要申请人排名、中美转让的专利申请趋势

和技术发展路线等进行了梳理与分析，指出中国主要芯片制造

企业在OPC技术方面进行了大量的专利布局，但其OPC技术专利申请量