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IC课件第八章3
(2)混合隔离的纵向NPN管
N＋埋层用于降
低集电极串连
电阻
2
(二)集成电路中的二极管
与NPN晶体管
与NPN晶体管
发射区同时制
基区同时制作
作
SOAlSOAlSO
i2i2i2
N+P
P+P+
N外延层
N型隔离岛
3
(三)集成电路中的电阻
利用半导体材料的体电阻
二次扩
与NPN晶体管
基区同时制作
N+N+
N
N+
电阻A电阻B
RARB沟道电阻4
(四)集成电路中的电容
PN结的反偏电容，但这种电容是非线性的，更多采
用的是平行板电容
S下电极M上电极
SO
i2
N＋
P+P+
+
平行板电容N外延层
P衬底
通常这种电容占的面积
较大，一个100pF的电
容所占芯片面积往往超隔离框
过100个晶体管占的芯上电极金属膜
片面积。N＋扩散区
SO层
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