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电力系统自动化
《电子技术基础》试题(卷)
一、填空题:
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的
多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型
半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载
流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区及发射结和集电结组成的。三极
管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的
扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场
的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称
为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半
导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一
个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩
散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结
形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较
大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管
的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说
明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二
极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线
的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。
二、判断正误:
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错)
2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。()
3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错)
4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(PN结反向偏置时,其内外电场方向
一致)(错)
5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错)
三、选择题:
1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于(C)A.掺入杂质的浓度B.材料C.温度
2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V,UE=-4V,UC=-6V,则该管工作于(C)
A.放大状态B.饱和状态C.截止状态
3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍
数(C)A.约为原来的1/2倍B.约为原来的2倍C.基本不变
4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是(B)
A.输入信号过大B.晶体管输入特性的非线性C.电路中有电容
5.差动放大器中,用恒流源代替长尾Re是为了(C)
A.提高差模电压增益B.提高共模输入电压范围C.提高共模抑制比
6.若A+B=A+C,则(C)A.B=CB.B=CC.在A=0的条件下,B=C
7.同步计数器中的同步是指(C)
A.各触发器同时输入信号B.各触发器状态同时改变
C.各触发器受同一时钟脉冲的控制
8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶
部被削平的失真,这种失真是(B)A.饱和失真B.截止失真C.频率失真
9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是(B)
A.多数载流子B.少数载流子C.既有多数载流子又有少数载流子
10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量(A)
A.增加B.减少C.不变
四、综合分析计算设计题:
1.画出下列电路的直流通路、交流通路、H参数微变等效电路,并计算静态工作
点、输入、输出电阻及电压增益。
解:(1)
(2)求静态工作点:
2.写出下图输出与输入的关系表达式:
解:
3.分析下列时序逻辑电路,写出状态方程、列状态转换真值表、画状态转换图。
解:
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