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将半导体层选通到量子自旋霍尔绝缘体状态.pdfVIP

将半导体层选通到量子自旋霍尔绝缘体状态.pdf

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    本公开中描述的示例涉及将半导体层选通到量子自旋霍尔绝缘体状态。某些示例还涉及使用量子自旋霍尔绝缘体作为拓扑量子比特。量子自旋霍尔系统可以通过使物质的状态从某个相改变为反带隙相来依赖量子自旋霍尔效应。在一个示例中，本公开涉及包括半导体层(102)的器件，该半导体层包括活性材料。该器件还包括被耦合到半导体层的栅极(110、112)，其中半导体层能够响应于经由栅极向半导体层施加电场，而通过使用来自活性材料的电子和空穴在量子自旋霍尔绝缘体状态下操作。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117796183A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202280054549.1(74)专利代理机构北京世辉律师事务所16093

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