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一种基于n‑Si/Pt/Mo:BiVO4Z型异质结的水氧化光阳极及其制备方法，水氧化光阳极为层状，包括n‑Si衬底，在n‑Si衬底上依次负载了Pt层和Mo:BiVO4层；方法为，洗净的n‑Si在碱液中保温刻蚀，取出后用去离子水洗净，并用HF溶液去除表面的氧化层，在n‑Si表面得到正金字塔型结构，以形貌构筑后的n‑Si为衬底，在表面上磁控溅射Pt层，配置Mo:BiVO4前驱体溶液，将Mo:BiVO4前驱体溶液旋涂在Pt层表面，把pt层表面全部覆盖后烘干，高温退火后，在NaOH溶液中洗去多余的氧钒，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790194A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202410013533.7
(22)申请日2024.01.04
(71)申请人西安电子科技大学
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