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本发明提供了一种耐负压ESD防护电路,包括栅串联电阻和深N阱结构的NMOS管。在芯片正常工作时,由于NMOS管的栅极没有电位处于关断状态;当正向ESD事件发生时,电路通过寄生的NPN结构泄放ESD电流;当负向ESD事件发生时,电路同样通过寄生的NPN结构泄放ESD电流。当芯片端口接入负压时,由于NMOS管的P衬没有直接与地电位连接,因此芯片内部不会向端口倒灌电流。本发明电路可以有效泄放ESD电流实现对内部电路的保护,还可以防止管脚出现负压时从芯片地流向管脚的倒灌电流,满足端口耐负压的要求。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790498A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311434043.6
(22)申请日2023.10.31
(71)申请人北京时代民芯科技有限公司
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