LED半导体发光二极管.ppt

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半导体发光二极管

〔LED);WhiteLED;1概况;LED的开展历史;LED的开展历史;LED的开展历史;80年代早期到中期对砷化镓磷化铝的使用使得第一代高亮度的LED的诞生,先是红色,接着就是黄色,最后为绿色。

到20世纪90年代早期,采用铟铝磷化镓生产出了桔红、橙、黄和绿光的LED。

第一个有历史意义的蓝光LED也出现在90年代早期,再一次利用金钢砂—早期的半导体光源的障碍物。依当今的技术标准去衡量,它与俄国以前的黄光LED一样光源暗淡。;90年代中期,出现了超亮度的氮化镓LED,随即又制造出了能产生高强度的绿光和蓝光铟氮镓LED。

超亮度蓝光芯片是白光LED的核心,在这个发光芯片上抹上荧光磷,然后荧光磷通过吸收来自芯片上的蓝色光源再转化为白光。就是利用这种技术制造出任何可见颜色的光。今天在LED市场上就能看到生产出来的新奇颜色,如浅绿色和粉红色。随着人类在LED超亮度的领域的技术进步,LED在消费电子的运用也越来越广泛。;中国LED开展现状;中国LED开展现状;中国LED开展现状;2.LED的工作原理;3.LED的发光原理;;;;;※100盏灯的1年电费比较。

※1日使用10小时计算。

※电费以1元/KWh计算。;※100盏灯的1年排量比较。

※1日使用10小时计算。

※CO2排出量的排出系数以0.39kg-CO2/kWh计算;5.LED产业链;LED技术与工艺链;5.1衬底;[1]结构特性好,外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小;

[2]界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性强;

[3]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀

[4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小;

[5]导电性好,能制成上下结构;

[6]光学性能好,制作的器件所发出的光被衬底吸收小;

[7]机械性能好,器件容易加工,包括减薄、抛光和切割等;

[8]价格低廉;

[9]大尺寸,一般要求直径不小于2英吋。;氮化镓衬底;有研究人员通过HVPE方法在其他衬底(如Al2O3、SiC)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的别离,别离后的氮化镓厚膜可作为外延用的衬底

这样获得的氮化镓厚膜优点非常明显,即以它为衬底外延的氮化镓薄膜的位错密度,比在Al2O3、SiC上外延的氮化镓薄膜的位错密度要明显低;但价格昂贵。

因而氮化镓厚膜作为半导体照明的衬底之用受到限制。;氮化镓衬底生产技术和设备;氮化镓衬底生产技术和设备;氮化镓衬底生产技术和设备;Si衬底;Si衬底;Si衬底;Si衬底;蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.

由于蓝宝石的光学穿透带很宽,从近紫外光(190nm)到中红外线都具有很好的透光性.因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上,它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高〔2045℃〕等特点,是一种相当难加工的材料,因此常被用来作为光电元件的材料。;蓝宝石衬底;以下图分别为:;蓝宝石(Al2O3)特性表;2蓝宝石晶体的生长方法

蓝宝石晶体的生长方法常用的有两种:

1)柴氏拉晶法(Czochralskimethod),简称Cz法.

先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤,再利用一单晶晶种接触到熔汤外表,在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷。于是熔汤开始在晶种外表凝固并生长和晶种相同晶体结构的单晶,晶种同时以极缓慢的速度往上拉升,并伴随以一定的转速旋转,随着晶种的向上拉升,熔汤逐渐凝固于晶种的液固界面上,进而形成一轴对称的单晶晶锭.;柴氏拉晶法(Czochralskimethod)之原理示意图;2蓝宝石晶体的生长方法

2)凯氏长晶法(Kyropoulosmethod),简称Ky法或泡生法

原理与柴氏拉晶法(Czochralskimethod)类似,先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤,再以单晶之晶种(SeedCrystal,又称籽晶棒)接触到熔汤外表,在晶种与熔汤的固液界面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶,晶种以极缓慢的速度往上拉升,但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈,待熔汤与晶种界面的凝固速率稳定后,晶种便不再拉升,也没有作旋转,仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固,最后凝固成一整个单晶晶碇.;凯氏長晶法(Kyropoulosmethod)之原理示意图;3蓝宝石衬底加工流程;蓝宝石晶棒加工流程

晶体

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