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本申请提供一种半导体器件，包括衬底、漂移区、体区、源区、漏区、隔离结构、栅极结构以及场板结构。漂移区以及体区皆设置于衬底中，体区与漂移区相邻。源区及漏区分别设置于体区中以及漂移区中。隔离结构设置在漂移区上及至少覆盖漂移区和衬底的交界处，并裸露体区的上表面、源区的上表面以及漏区的上表面。隔离结构为阶梯状结构。栅极结构覆盖与隔离结构相邻的部分体区的上表面，并至少位于部分隔离结构的上方。场板结构至少完全覆盖被栅极结构裸露的隔离结构的表面，并裸露至少部分漏区。透过前述配置，可以有效提高击穿电压及减少漏极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790577A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311841337.0
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人矽力杰半导体技术
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