原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及沟槽型IGBT半导体器件结构的改进，具体为SiC基分裂栅沟槽型IGBT半导体器件结构及制造方法，在不增加现有工艺难度和制造成本的前提下完成对较高电流密度的SiC基IGBT半导体器件的制造；包括第一类导电型衬底(1)；设置第一类导电型衬底(1)上部的第二类导电型缓冲层(2)；设置第二类导电型缓冲层(2)上方的第二类导电型漂移层(3)；设置第二类导电型漂移层(3)上表面的第一类导电型掺杂区(4)；设置第一类导电型掺杂区(4)局部上表面的第二类导电型掺杂区(5)；设置第二类导电型漂移层(3)
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790554A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202410092260.X
(22)申请日2024.01.23
(71)申请人无锡祥瑞微电子科技有限公司
地址
文档评论（0）