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2024-03-30 发布于四川
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碳化硅晶体生长装置和方法.pdf

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本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置和方法，涉及碳化硅生长技术领域，该碳化硅晶体生长装置包括坩埚本体、坩埚盖、升降驱动组件、称重件和控制器，坩埚盖活动盖设在坩埚本体的顶端，升降驱动组件设置在坩埚盖上方，并与坩埚盖传动连接；称重件设置在升降驱动组件上，用于测量坩埚盖和碳化硅晶体的重量，并生成重量信息；控制器与升降驱动组件和称重件同时通信连接，用于依据重量信息控制升降驱动组件提升坩埚盖，以使碳化硅晶体的生长面与坩埚本体保持相对固定。相较于现有技术，本发明能够依据碳化硅晶体的生长情况来调整其生长面的位置

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117779178A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202311825531.X

(22)申请日2023.12.26

(71)申请人通威微电子有限公司

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