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本申请涉及叠层太阳能电池，其中异质结太阳能电池层包括侧面本征非晶硅层，侧面本征非晶硅层的厚度为正面本征非晶硅层的厚度的1.5～3倍，本申请还提供了叠层太阳能电池的制造方法，将多个硅基底堆叠对齐放置，在硅基底的侧面沉积侧面本征非晶硅层，对异质结太阳能电池片的结构进行了优化，改善了异质结太阳能电池片中的边缘效应，使叠层太阳能电池片的性能更稳定，另外，将激光进行前后电隔离的刻蚀设置在侧面位置，避免了在太阳能电池片的正面或背面形成死区。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790611A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311800368.1
(22)申请日2023.12.26
(71)申请人苏州腾晖光伏技术有限公司
地址
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