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本发明提供一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底的顶面上形成有垫氧化层和位于垫氧化层上的第一硬掩模层，垫氧化层和第一硬掩模层中形成有第一开口，第一开口露出基底的顶面；在第一开口的位置形成场氧化层，场氧化层的厚度大于垫氧化层的厚度，场氧化层至少部分嵌入基底中；以及刻蚀去除垫氧化层邻近场氧化层的部分、场氧化层的边缘部分以及部分基底，形成第一沟槽，剩余的场氧化层作为高压器件的高压栅氧化层。如此形成的较厚的高压栅氧化层对后续光刻制程的套刻精度影响较小。该半导体结构的高压栅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790290A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202410199364.0
(22)申请日2024.02.23
(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司
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