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本发明提供一种氮化物半导体基板，其包含：层叠有多个层的复合基板；层叠在该复合基板上，且具有中央部的平坦面和位于该平坦面的周围的侧面的氧化硅层或TEOS层；层叠在该氧化硅层或TEOS层上的单晶硅层；及成膜在该单晶硅层上的氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体基板的特征在于，所述氧化硅层或TEOS层的中央部的整个平坦面被所述单晶硅层覆盖。由此，提供一种氮化物半导体基板及其制造方法，该氮化物半导体基板在外延生长后的镜面边缘表面无雾化，因此无扬尘或反应痕迹且工艺中的不良较少。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117795137A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202280052927.2(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限
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