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超结碳化硅NPN型三极管.pdfVIP

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  • 2024-03-30 发布于四川
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超结碳化硅NPN型三极管.pdf

    超结碳化硅NPN型三极管，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的集电极金属、SiC衬底、N‑漂移区和P型SiC层；N‑漂移区的上靠近外侧设有延伸至P型SiC层的P型SiC柱；P型SiC层顶面的中部设有伸入二氧化硅保护层的N型SiC层，N型SiC层上设有发射极金属；P型SiC层上，N型SiC层5的外侧设有伸入二氧化硅保护层的基极金属。在承担耐压时，P柱以及P柱间的N‑漂移区可以充分耗尽，在整个漂移区被完全耗尽后就相当于一个本征层，因此器件反向耐压时，漂移区内部即存在纵向电场，也存在着横向电场。

    (19)国家知识产权局

    (12)实用新型专利

    (10)授权公告号CN220692028U

    (45)授权公告日2024.03.29

    (21)申请号202322359647.0

    (22)申请日2023.08.31

    (73)专利权人扬州扬杰电子科技股份有限公司

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